特許

J-GLOBAL ID：200903032231454319

半導体装置及びその製造方法

発明者： 齋藤 武博
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249799
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060076
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 nチャンネルMOSFETの電子の移動度が向上し,電流駆動能力を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に形成されたnチャンネルMOSFETとpチャンネルMOSFETとを有する半導体装置であって、nチャンネルMOSFETを覆う引張の真性応力を有する窒化膜14と、pチャンネルMOSFETを覆う圧縮の真性応力を有する窒化膜16とを有する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたnチャンネルMOSFETとpチャンネルMOSFETとを有する半導体装置において、nチャンネルMOSFETを覆う引張の真性応力を有する第1の窒化膜と、pチャンネルMOSFETを覆う圧縮の真性応力を有する第2の窒化膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/318 M ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 29/78 301 N

Fターム (33件)：

5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048DA00 ,  5F048DA23 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ07 ,  5F140AA05 ,  5F140AA08 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-310662   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-379786   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-342667   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-011913   出願人：日本電気株式会社