特許
J-GLOBAL ID：200903032261383815
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-110219
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288550
出願日： 1995年04月10日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 長期間にわたって高い発光効率を維持することができる発光ダイオードを提供する。【構成】 基板層11、バッファ層12、n形クラッド層13、活性層14、p形クラッド層15、第1及び第2の電流ブロック層16a、16b、第1〜第6のコンタクト層17a〜17fから成る半導体基板の下面にカソード電極19、上面の中央にアノード電極18を形成する。第2、第3、第4、第5及び第6のコンタクト層17b、17c、17d、17e、17fを形成する半導体材料の本来の格子定数を順次に変えることによって表面に突起を生じさせる。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1導電形のクラッド層と活性層と前記第1導電形と反対の第2導電形のクラッド層と第2導電形のコンタクト層とが順に配置された化合物半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面で前記コンタクト層に接続された第1の電極と、前記半導体基板の他方の主面に配設され且つ前記第1導電形のクラッド層に電気的に接続された第2の電極とを備え、前記半導体基板の一方の主面に露出した前記コンタクト層の主面が光取り出し面を含むように構成された半導体発光素子において、前記コンタクト層が少なくとも第1及び第2のコンタクト層を積層したものであり、前記第1及び第2のコンタクト層は格子定数が互いに相違する半導体材料で形成されており、前記半導体基板の一方の主面に前記格子定数の相違に基づく多数の微小突起(ヒロック)が生じていることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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