特許
J-GLOBAL ID：200903032265799919
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351210
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186513
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 筒状ストレージノードを構成する筒状部の表面積が十分大きく、筒状部の物理的強度を保たせることが可能な半導体装置を得る。【解決手段】 筒状部の外壁のみに熱処理によってシリコン粒を形成して粗面化し、内壁には粗面化処理を施さずにアモルファスシリコン膜を残すことで、筒状部の外壁においてストレージノードの表面積を増大させ、内壁のアモルファスシリコンで筒状部の物理的強度を保ち、筒状部の折れ、倒れを抑制する半導体装置を得る。
請求項（抜粋）：
筒状ストレージノード、誘電体膜、セルプレートの積層構造からなるキャパシタを有する半導体装置において、上記ストレージノードは筒状部と底面部を含み、上記誘電体膜と接する上記筒状部の外壁は粗面であり、内壁は平滑面であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
