半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320128
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181290
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】プレート電極の引き出し線用のコンタクトホールを精度よく形成できる半導体装置を得る。【構成】プレート電極9の引き出し線用の第1のコンタクトホール23の形成位置のプレート電極9の下部に第1のコンタクトホール23形成時のストッパーとしての筒型のダミーノード電極22を備える。

請求項（抜粋）：

トランジスタと筒型のキャパシタとからなるメモリセルを備えた半導体装置において、上記キャパシタのプレート電極の引き出し線用のコンタクトホールの形成位置の上記プレート電極の下部に上記コンタクトホール形成時のストッパーとしての筒型のダミーノード電極を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 681 D , H01L 27/10 681 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

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