バリスタとその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167952
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031616
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】バリスタ素子表面に、耐湿性、耐メッキ性に優れた高抵抗層を有するバリスタを提供することを目的とするものである。【構成】バリスタ素子1の表面にSiO2を主成分とする混合物15を配し、焼成することにより、バリスタ素子1の表面に、Zn-Si-O系の物質からなる高抵抗層4aを形成するものである。

請求項（抜粋）：

ZnOを主成分とするバリスタ素子と、前記バリスタ素子の表面に設けた電極と、前記バリスタ素子表面の少なくとも前記電極に覆われていない部分に設けた高抵抗層とを備え、前記高抵抗層はZn-Si-O系の物質を主成分とするバリスタ。

IPC (2件)：

H01C 7/10 , H01C 1/142

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-068502
特開平3-173402
導電性チップ型セラミック素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-356128 出願人：三菱マテリアル株式会社

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