特許
J-GLOBAL ID：200903032282568289

電子部品および半田バンプの形成方法

発明者：
土師 宏

土師 宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-013725
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214419
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 電極上に接合強度に優れた半田バンプが形成された電子部品、および接合強度に優れた半田バンプを形成することができる半田バンプの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1にバンプ付電子部品6の金バンプ7と導通させるための電極2と半田バンプ5を形成するための電極3を形成し、電極2、3上にニッケル膜および金膜を順次形成を形成する。半田バンプ5の形成に先立って電極3上に形成される金膜の厚さを、半田バンプ5に溶け込む金の重量%が0.1%以下となる値で定められる上限値と、0.01μmの下限値の間の範囲内に設定する。これにより、半田に溶け込む金の量を制限し、従って脆い性質を有する金とスズの化合物の半田バンプ5内での生成を抑制して接合強度に優れた半田バンプ5を形成することができる。
請求項（抜粋）：
電極上に金膜を形成しこの金膜上で半田を溶融・固化させることにより前記電極上に形成された半田バンプを備え、前記金膜の厚さが、半田バンプに溶け込む金の重量%が0.10%以下となる値で定められる上限値と、0.01μmの下限値の間の範囲内に設定されていることを特徴とする電子部品。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (5件)：
H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 603 E ,  H01L 21/92 604 M ,  H01L 23/12 L
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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