特許
J-GLOBAL ID:200903032329381956
III族窒化物発光デバイスの輝度を増大させる方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-053867
公開番号(公開出願番号):特開2002-335011
出願日: 2002年02月28日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】 改良された光学的性能を有するLEDを提供すること。【解決手段】 基層上のベース層に堆積させたIII族窒化物発光活性領域を用いたLEDは、3.5μmより大きい厚さを有する、意図的に位置合わせをずらした基層の上に成長させたベース層について向上した光学的特性を示す。位置合わせをずらした基層および厚いベース層の使用に起因する向上した光学的特性には、向上した輝度、向上した量子効率、および、最大量子効率が発生する際における電流の低減が含まれる。位置合わせずらし角度およびベース層の厚さの両方をさらに大きくできるが、位置合わせずらし角度を0.05〜0.50度の範囲内とし、ベース層の厚さを6.5〜9.5μmの範囲内とした説明例が与えられる。いくつかの場合、より厚いベース層を用いることでデバイス全体から基層を除去できる十分な構造的支持が得られる。
請求項(抜粋):
主結晶表面から少なくとも0.05度の角度で位置合わせずらしがなされた上部表面を有する基層の上に形成された、約3.5μmを上回る厚さを有するベース層と、該ベース層の上に形成されたIII族窒化物の発光領域と、を含む発光デバイスを具備することを特徴とする構造。
IPC (3件):
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01L 21/205
FI (3件):
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01L 21/205
Fターム (33件):
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA12
, 5F041AA40
, 5F041CA02
, 5F041CA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA25
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA54
, 5F041CA58
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CB36
, 5F041FF01
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045DA61
, 5F052JA07
, 5F052KA01
, 5F052KA03
, 5F052KA05
引用特許:
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