特許
J-GLOBAL ID:200903032364071439
高純度オゾン水製造装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 哲夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-336128
公開番号(公開出願番号):特開2001-149947
出願日: 1999年11月26日
公開日(公表日): 2001年06月05日
要約:
【要約】【課題】 高度に清浄な洗浄が必要な半導体製造や液晶装置の製造等に用いられる高純度オゾン水を予め純水で洗浄することで、オゾン以外の窒素酸化物を除去したオゾンガスを取り出し、これを超純水に溶解させてなる高純度オゾン水を容易に得ることができる高純度オゾン水製造装置を提供する。【解決手段】 オゾン発生装置と超純水槽との間に洗浄槽を介装し、該洗浄槽で上記オゾン発生装置で生成されたオゾンガスを純水で洗浄して、該オゾンガス中の二酸化窒素を除去したオゾンガスを超純水槽へと送気して超純水に溶解させることで高純度オゾン水を得るように構成した。
請求項(抜粋):
高純度酸素に窒素を少量混合した原料ガスが導入されるオゾン発生装置と、該オゾン発生装置の放電電場に上記原料ガスを通過させて発生するオゾンガスが導入される超純水槽と、を有して構成され、該超純水にオゾンガスを溶解して高純度オゾン水を製造する装置において、上記オゾン発生装置と超純水槽との間に洗浄槽を介装し、該洗浄槽で上記オゾン発生装置で生成されたオゾンガスを純水で洗浄して、該オゾンガス中のニ酸化窒素を除去したオゾンガスを超純水槽へと送気して超純水に溶解させることを特徴とする高純度オゾン水製造装置。
IPC (3件):
C02F 1/50 531
, B01D 53/14
, B01F 1/00
FI (3件):
C02F 1/50 531 R
, B01D 53/14 C
, B01F 1/00 A
Fターム (11件):
4D020AA05
, 4D020AA10
, 4D020BA23
, 4D020BB03
, 4D020BC06
, 4D020CB02
, 4D020CC01
, 4D020DA02
, 4D020DB03
, 4G035AA01
, 4G035AE13
引用特許:
審査官引用 (3件)
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オゾン発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-224151
出願人:株式会社荏原製作所, 株式会社東芝
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電子材料用洗浄液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-002284
出願人:栗田工業株式会社
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特開昭57-095808
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