特許
J-GLOBAL ID：200903032368013581

半導体ウエーハの研削方法

発明者：
橋井 友裕

橋井 友裕 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170860
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007064
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 スライス後の半導体ウエーハを高精度かつ高能率に研削して、次工程の研磨に供給することにより、ウエーハ生産コストを節減する。【解決手段】 回転砥石1,2間で半導体ウエーハ3を固定砥石により粗研削する。粗研削に続いて、スラリー配管4,5により回転砥石1,2間に微細砥粒懸濁スラリーを供給することにより、遊離砥粒による仕上げ研削を同一研削軸上で行う。遊離砥粒による仕上げ研削を行うとき、回転砥石1,2の回転速度及び送り速度を低下させて、固定砥石により研削作用を低下させる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハに対し、固定砥粒による研削を行った後、引き続き同一研削軸上で遊離砥粒による研削を行うことを特徴とする半導体ウエーハの研削方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 631 ,  B24B 7/17 ,  B24B 37/00
FI (3件)：
H01L 21/304 631 ,  B24B 7/17 Z ,  B24B 37/00 Z
Fターム (8件)：
3C043BC06 ,  3C058AA04 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058BA02 ,  3C058BA09 ,  3C058CB03 ,  3C058DA18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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