特許
J-GLOBAL ID:200903032373186010
超伝導体を用いた光子及び放射線及び中性子の検出法及びその2次元イメージング法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
社本 一夫 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-195150
公開番号(公開出願番号):特開2003-014861
出願日: 2001年06月27日
公開日(公表日): 2003年01月15日
要約:
【要約】【課題】 液体He温度で動作可能な超伝導体を用いた高い位置分解能を示す中性子イメージ検出器を提供する。【解決手段】 10Bを構成材料として含むエネルギーギャップの大きな10Bを濃縮したMgB2を中性子検出プレートとし、この検出プレートに、中性子が入射した際発生するα線により発生するフォノンを検出するために、絶縁層、エネルギーギャップの小さな11Bを濃縮したMg11B2の順に積層した構造のフォノンセンサを中心と4つの角の部分に設置し、信号強度と信号伝搬時間を用いて中性子の入射位置を検出する。
請求項(抜粋):
同位体効果により2つの超伝導体のエネルギーギャップが異なることを利用し、エネルギーギャップの大きな同位元素超伝導体、エネルギーギャップの小さな同位元素超伝導体、絶縁層、エネルギーギャップの小さな同位元素超伝導体、エネルギーギャップの大きな同位元素超伝導体の順に積層した構造とすることを特長とした超伝導トンネル接合素子を用いた光子及び放射線検出器。
IPC (5件):
G01T 3/00
, G01T 1/24
, G01T 1/26
, G01T 1/29
, H01L 39/22 ZAA
FI (5件):
G01T 3/00 C
, G01T 1/24
, G01T 1/26
, G01T 1/29 C
, H01L 39/22 ZAA D
Fターム (11件):
2G088EE29
, 2G088FF09
, 2G088GG22
, 2G088JJ01
, 2G088KK35
, 4M113AA04
, 4M113AA14
, 4M113AA23
, 4M113AA25
, 4M113AC24
, 4M113CA11
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭64-061971
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半導体放射線検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-292967
出願人:関西ティー・エル・オー株式会社
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超伝導放射線検出装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-067386
出願人:富士通株式会社
引用文献:
審査官引用 (1件)
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第109回基礎化学セミナー -量子計測法の研究- 論文集
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