薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：阿部英樹 (外1名) , 阿部英樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273838
公開番号（公開出願番号）：特開2001-098374
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】湾曲面を有する基体の表面に均一な薄膜を形成しうる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜形成装置1は、真空処理槽2内において成膜対象物である基板5に対して対向配置される一対の上部及び下部対向電極7、8を有する。上部及び下部対向電極7、8は、当該膜の構成材料から構成されている。インバータ電源9から上部及び下部対向電極7、8及び基板5に対して所定のパルス状交番電圧を印加し、上部及び下部対向電極7、8と基板5の間にパルス状交番電界を発生させる。

請求項（抜粋）：

真空中において、成膜対象物と、当該膜の構成材料を電気的接続された状態で有する対向電極とを対向配置し、これら対向電極と成膜対象物の間に所定のパルス状交番電界を発生させることを特徴とする薄膜形成方法。

Fターム (5件)：

4K029AA21 , 4K029CA05 , 4K029CA08 , 4K029DC28 , 4K029DC33

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平3-056671
特開昭59-205477
特開昭63-062870

全件表示

前のページに戻る