特許
J-GLOBAL ID：200903032435764376
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071605
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260662
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】ノンパンチスルー(NPT)型IGBTの漏れ電流を低減する。【解決手段】nベース層1のpコレクタ領域8に近い部分に短寿命領域7を形成する。短寿命領域7としては、n型不純物の拡散層や、結晶欠陥層、重金属の拡散層等が利用できる。
請求項（抜粋）：
定格電圧の印加時に、高比抵抗の第一導電型半導体層と第二導電型ベース領域間のpn接合から第二導電型コレクタ領域に向かって第一導電型半導体層中に広がる空間電荷領域が第一導電型半導体層全体を充たさないノンパンチスルー(NPT)型絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、第一導電型半導体層の第二導電型コレクタ領域に近い部分に、少数キャリアの寿命が第一導電型半導体層のそれよりも短い短寿命領域が形成されていることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/322
, H01L 21/336
H01L 29/78 655 B
, H01L 21/322 G
, H01L 29/78 658 H
