特許
J-GLOBAL ID：200903032488505070
集積半導体チップ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228515
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068438
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップのリード線の内部端子における電位変動が減衰され、高クロックレート時にも内部電圧供給が安定化され、チップの機能が保証された集積半導体チップを提供すること。【解決手段】 1つまたは複数の供給電圧外部端子への1つまたは複数のリード線を備えた集積半導体チップにおいて、前記リード線の少なくとも1つの抵抗値は、電流パルスによってそれぞれのリード線に惹起される、それぞれのリード線の内部端子における電位変動が十分に減衰される程度に大きく、ただし前記抵抗値はそれぞれのリード線に、最大電流の場合に所定の最大許容電圧降下だけしか発生しない程度に小さく、それぞれのリード線の抵抗値は、それぞれのリード線の断面を、リード線の全長に比して小さく区切られた区間内では、リード線に沿って縮小することによって決められているように集積半導体チップを構成する。
請求項（抜粋）：
1つまたは複数の供給電圧外部端子への1つまたは複数のリード線を備えた集積半導体チップにおいて、前記リード線(Z)の少なくとも1つの抵抗値(RD)は、電流パルスによってそれぞれのリード線(Z)に惹起される、それぞれのリード線(Z)の内部端子(C)における電位変動が十分に減衰される程度に大きく、ただし前記抵抗値(RD)はそれぞれのリード線(Z)に、最大電流(Imax)の場合に所定の最大許容電圧降下だけしか発生しない程度に十分に小さく、それぞれのリード線(Z)の抵抗値(RD)は、それぞれのリード線(Z)の断面(q)を、リード線(Z)の全長に比して小さく区切られた区間(a)内では、リード線(Z)に沿って縮小することによって決められていることを特徴とする集積半導体チップ。
引用特許：
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