半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-316613
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204049
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな(湾曲することが可能な)半導体素子(薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子)を有する半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、プラスチックフィルム上に素子を形成するのではなく、基板のような平らな板状のものを型とし、凝固材(代表的には接着材)である第2の接着材16を基板(第3の基板17)と素子を含む層(被剥離層13)との間に充填し、凝固させた後、型とした基板(第3の基板17)を剥離して、凝固した接着材(第2の接着材16)だけで素子を含む層(被剥離層13)を固定することによって薄膜化、軽量化を実現する。

請求項（抜粋）：

接着材を支持体とし、前記接着材に接する絶縁膜上に素子を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/12 , G02F 1/1368 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/02 , H05B 33/14

FI (6件)：

H01L 27/12 B , G02F 1/1368 , H05B 33/02 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 D

Fターム (81件)：

2H092HA06 , 2H092JA03 , 2H092JA04 , 2H092JA05 , 2H092JA24 , 2H092JB57 , 2H092KA05 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092MA05 , 2H092MA27 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA10 , 2H092PA11 , 2H092RA10 , 3K007BA06 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ07 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板および電気光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-224332 出願人：セイコーエプソン株式会社
SOI基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-205998 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平1-184957

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