特許
J-GLOBAL ID：200903036445223026
SOI基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205998
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040812
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 極めて薄い単結晶半導体薄膜を形成するための手段を提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板101を陽極酸化して多孔質シリコン層102を形成し、その後、還元雰囲気において900〜1200°Cの熱処理工程を行う。この熱処理工程により多孔質シリコン層102の表面孔が塞がり、表面近傍に薄い単結晶シリコン層103が形成される。本願発明ではこの単結晶シリコン層103をTFTの活性層として用いる。
請求項（抜粋）：
第1単結晶半導体基板上に多孔質半導体層を形成する工程と、還元雰囲気で第1加熱処理を施すことにより前記多孔質半導体層の表面近傍を閉塞させて単結晶半導体層を形成する工程と、前記単結晶半導体層の主表面に第1酸化シリコン層を形成する工程と、第2基板の主表面に第2酸化シリコン層を形成する工程と、前記第1酸化シリコン層と前記第2酸化シリコン層とを接着させて前記第1単結晶半導体基板と前記第2基板とを貼り合わせる工程と、前記第1単結晶半導体基板を裏面側から研削して前記多孔質半導体層を露呈させる工程と、露呈した前記多孔質半導体層を除去し、前記単結晶半導体層を露呈させる工程と、を有することを特徴とするSOI基板の作製方法。
引用特許：
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