特許
J-GLOBAL ID：200903032501360494
カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北村 欣一
, 吉岡 正志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-017322
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210424
出願日： 2005年01月25日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 確実な光電変換効率の向上を得られ、かつ、製品外観上満足できるカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成されたMo電極層2上に、電極層2に隣接するIn金属層とCu-Ga合金層とをスパッタリング法により積層して成るプリカーサを形成する第1工程と、このプリカーサ付き基板1に対して浸漬法によりモリブデン酸ナトリウム(Na2MoO4)含有水溶液を付着する第2工程と、これらの第1及び第2の両工程を経た基板1に対してセレン化処理を行う。その後に導電透明電極形成工程を経て得られる薄膜太陽電池は、高い光電変換効率と良好な製品外観を備えるものとなる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基板上に形成された裏面電極層上に、In、Cu及びGa金属元素を含有成分としたプリカーサを形成する第1工程と、該プリカーサに対してモリブデン酸ナトリウム含有水溶液を付着する第2工程と、該第1及び第2の両工程を経た基板に対して、H2Seガス雰囲気中で熱処理を行うセレン化工程と、光を透過する導電性の層を成膜する導電透明電極形成工程とを備えることを特徴とするカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F051AA10
, 5F051BA11
, 5F051CB15
, 5F051CB30
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051GA03
