特許
J-GLOBAL ID：200903032516536580

磁気センサおよびその製造方法

発明者：
中村 順寿

中村 順寿 について

, 
西川 雅永

西川 雅永 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391150
公開番号（公開出願番号）：特開2002-189069
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 磁電変換素子とマグネットとの間の絶縁だけでなく、入出力のためのリードフレームとマグネットとの間の絶縁も得ることができる磁気センサを得る。【解決手段】 磁気センサ10は、マグネット12を含む。マグネット12の1つの面の全面に、絶縁皮膜14を形成する。絶縁皮膜14上に、基板18と半導体磁気抵抗パターン20とからなる磁電変換素子16を搭載する。半導体磁気抵抗パターン20から、入出力のためのリードフレーム22を引き出す。絶縁皮膜14は、マグネット12の磁電変換素子16搭載面に隣接する面にも形成することができ、マグネット12の全面に形成することもできる。
請求項（抜粋）：
磁電変換素子と、前記磁電変換素子にバイアス磁界を与えるために用いられる電気抵抗の小さいマグネットとを含み、前記マグネット上に前記磁電変換素子が搭載された磁気センサであって、前記マグネットの前記磁電変換素子搭載面の全面に絶縁皮膜が形成された、磁気センサ。
IPC (3件)：
G01R 33/09 ,  H01L 43/02 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L 43/02 Z ,  H01L 43/08 S ,  G01R 33/06 R
Fターム (4件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平3-014276
  • 特開昭64-028576
  • 特開平3-014276
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