特許
J-GLOBAL ID：200903032522384865
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146260
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340148
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 導波路損失が小さくかつ電流狭窄層によるレーザ光の吸収がなく、高効率の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 電流狭窄層6を酸化されにくい材料系からなる超格子で構成するとともに導波路層4も超格子で構成し、電流狭窄層6の実効的な禁制帯幅がクラッド層7のそれよりも大きくなるように構成するとともに導波路層4の実効的な禁制帯幅がクラッド層7の禁制体幅よりも小さくなるように構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、第1導電型のクラッド層と、少なくとも1つの量子井戸構造をもつ量子井戸活性層を備えた超格子層からなる導波路層と、第2導電型のクラッド層と、第2導電型のコンタクト層とが順次積層されてなる内部ストライプ型の半導体レーザ装置において、前記導波路層上の一部に超格子層からなる電流狭窄層を配設し、前記量子井戸活性層の禁制帯幅をEg1,前記導波路層の実効的な禁制帯幅をEg2,前記電流狭窄層の実効的な禁制帯幅をEg3、クラッド層の禁制帯幅をEg4としたとき、Eg3>Eg4≧Eg2≧Eg1の関係をみたすように前記超格子層の材料および膜厚を各々設定したことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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