特許
J-GLOBAL ID：200903032545422063
面発光型半導体レーザウェハ、それを用いて作製した半導体レーザアレイ、その面発光型半導体レーザウェハの製造方法およびその半導体レーザアレイの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-154426
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324445
出願日： 2006年06月02日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハを提供する。【解決手段】面発光型半導体レーザウェハ100は、ウェハ110と、面発光レーザ素子111〜121とを備える。ウェハ110は、複数の領域E1〜E11に分類され、複数の領域E1〜E11は、ウェハ110の外周から内周に向かって同心円状に分布する。面発光レーザ素子111〜121は、それぞれ、ウェハ110の領域E1〜E11において形成される。そして、面発光レーザ素子111〜121の各々は、活性層、共振器スペーサー層、反射層、選択酸化層およびコンタクト層からなるメサ構造体を含んでいる。面発光型半導体レーザウェハ100においては、ウェハ110の面内方向におけるメサ構造体の寸法分布が基準値以内になるように面発光レーザ素子111〜121における複数のメサ構造体は異なる寸法を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウェハと、
前記ウェハ上に形成された複数のメサ構造体とを備え、
前記複数のメサ構造体の各々は、
活性層に注入する電流を制限する電流狭窄部と、
前記活性層へ電流を注入する電流注入部とを含み、
前記ウェハの面内方向における前記複数のメサ構造体の寸法は、前記複数のメサ構造体における複数の電流注入部の前記面内方向の寸法分布が基準値以内になる複数の寸法に設定される、面発光型半導体レーザウェハ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AD05
, 5F173AH02
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AR13
出願人引用 (7件)
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面発光レーザアレイ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-283091
出願人：富士ゼロックス株式会社
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水蒸気酸化装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-014260
出願人：ソニー株式会社
-
面発光型半導体レーザアレイ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-018461
出願人：富士ゼロックス株式会社
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審査官引用 (2件)
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