特許
J-GLOBAL ID：200903032550739725

集束イオンビーム加工方法及び荷電粒子ビーム装置

発明者：
加賀 広靖

加賀 広靖 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-337330
公開番号（公開出願番号）：特開2007-139714
出願日： 2005年11月22日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】短時間で試料から微小片試料を切り出すことができる装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明によると、V溝の所望の深さから、実験式を用いて、加工時間が最小となるようにV溝の深さの設定値とV溝の幅の設定値を計算する。こうして求めた設定値によって、集束イオンビームによってV溝加工を行う。V溝加工のみから、試料表面より微小片を切り出す。試料表面に対して傾斜したイオンビームを用いる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
V溝の所望の深さを入力することと、加工時間が最小となるように上記所望の深さからV溝の深さの設定値とV溝の幅の設定値を計算することと、該設定値に基づいて集束イオンビームを試料の表面に照射することによって上記試料の表面にV溝を形成することと、上記V溝の形成を繰り返すことによって上記試料の表面より微小片を切り出すこととと、を含む、集束イオンビーム加工方法。
IPC (5件)：
G01N 1/32 ,  H01J 37/30 ,  H01J 37/317 ,  H01J 37/20 ,  G01N 1/28
FI (5件)：
G01N1/32 B ,  H01J37/30 Z ,  H01J37/317 D ,  H01J37/20 Z ,  G01N1/28 G
Fターム (10件)：
2G052AA13 ,  2G052AC28 ,  2G052AD32 ,  2G052EC14 ,  2G052EC16 ,  2G052GA34 ,  5C001BB07 ,  5C001CC01 ,  5C034AA09 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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