特許
J-GLOBAL ID：200903058791965334

薄片化加工方法

発明者：
鈴木 秀和

鈴木 秀和 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-035390
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明は試料の薄片化加工を容易に、且つ短時間で効率よく行うことのできる加工方法を提供しようとするものでる。【解決手段】 イオンビームの走査方向を偏向手段による偏向制御によって適宜変更して、イオンビームを常に被加工試料の外壁面側から面に沿って走査を開始するようしてエッチング加工を行うものである。また、複数の試料を既知の位置関係でセットすると共に、イオンビーム走査と各試料の位置決めを含む一連の加工シーケンスをプログラムして自動的に効率よく処理する。
請求項（抜粋）：
イオンビームを照射して電子顕微鏡用の試料を薄片化加工する際、常に被加工試料の外側壁面側から面に沿ってイオンビームの走査を開始することを特徴とする薄片化加工方法。
IPC (4件)：
G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01J 37/30 ,  H01J 37/305
FI (4件)：
G01N 1/28 G ,  G01N 1/32 B ,  H01J 37/30 Z ,  H01J 37/305 A
Fターム (6件)：
5C034AB03 ,  5C034AB04 ,  5C034BB04 ,  5C034BB07 ,  5C034DD05 ,  5C034DD06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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