特許
J-GLOBAL ID：200903032557250187
薄膜作製装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-137375
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335248
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 III 族-N系化合物半導体膜の島状成長を抑制して、III 族-N系化合物半導体膜に発生する転位の密度を低減することができる薄膜作製装置を提供することを課題とする。【解決手段】 回転軸7により回転される基板ホルダ2に保持される基板1を蒸着部3に搬送して基板1の表面にIII 族原料を蒸着し、次に、基板1をマイグレーション部4に搬送して基板1の表面の一原子層分以外の過剰なIII 族原料を再蒸発させ、さらに、基板1を化合部5に搬送して窒素原料を照射し、III 族原料を窒化させることにより、基板1の表面にIII 族-N系化合物半導体膜を作製する。
請求項（抜粋）：
基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手段により加熱された前記基板の表面にIII 族原料を供給する第1の供給手段と、前記加熱手段により加熱された前記基板の表面にIII 族原料及び窒素原料のいずれも供給しない第2の供給手段と、前記加熱手段により加熱された前記基板の表面に窒素原料を供給する第3の供給手段と、前記基板を、前記第1の供給手段、前記第2の供給手段及び前記第3の供給手段の順に繰り返して搬送する基板搬送手段と、を有することを特徴とする薄膜作製装置。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, H01L 21/205
, C30B 25/16
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, C30B 25/16
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
