特許
J-GLOBAL ID:200903032573081697

基板処理装置及び基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩原 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-358120
公開番号(公開出願番号):特開2006-191022
出願日: 2005年12月12日
公開日(公表日): 2006年07月20日
要約:
【課題】物質膜をより早く、且つ容易に除去できる基板処理装置及びその方法を提供する。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、物質膜が形成された基板をローディングするローディング部と、ドライアイス粒子または二酸化炭素を供給するドライアイス供給部と、1つ以上のノズルを含み、ドライアイス供給部から供給されたドライアイス粒子を基板上に噴射したり、二酸化炭素を固化後、基板上に噴射して、物質膜を1次表面処理する噴射処理部と、1次表面処理された物質膜を選択的に除去する表面処理部と、を備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
物質膜が形成された基板をローディングするローディング部と、 ドライアイス粒子または二酸化炭素を供給するドライアイス供給部と、 1つ以上のノズルを含み、前記ドライアイス供給部から供給された前記ドライアイス粒子を前記基板上に噴射したり、または前記二酸化炭素を固化後、前記基板上に噴射して、前記物質膜を1次表面処理する噴射処理部と、 前記1次表面処理された前記物質膜を選択的に除去する表面処理部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (5件):
H01L21/304 643Z ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 643B ,  H01L21/304 648L ,  H01L21/306 R
Fターム (4件):
5F043DD02 ,  5F043EE07 ,  5F046MA07 ,  5F046MA10
引用特許:
審査官引用 (8件)
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