特許

J-GLOBAL ID：200903032577895044

多結晶シリコン製造方法

発明者： 遠藤 俊秀 ,  手計 昌之 ,  石井 敏由記 ,  坂口 昌晃 ,  畠山 直紀
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-299287
公開番号（公開出願番号）：特開2009-149498
出願日： 2008年11月25日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】ロッド表面の凹凸や径の不均一等の形状不良の発生を有効に防止して、高品質の多結晶シリコンを生産する。【解決手段】反応炉内に立設した複数のシリコン芯棒を加熱し、反応炉の内底部のガス噴出口から噴出した原料ガスによってシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、ガス噴出口からの原料ガスの噴出速度を漸次上昇させる運転初期の安定化段階と、その後前記噴出速度を前記安定化段階より大きい上昇度で一旦上昇させた後に、それより小さい上昇度で漸次上昇させる形状段階と、この形状段階を経た後、終了までにおいて前記噴出速度を前記形状段階の終了時より小さくする成長段階とを有する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

反応炉内に立設した複数のシリコン芯棒を加熱し、反応炉の内底部のガス噴出口から噴出した原料ガスによって前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、 前記ガス噴出口からの原料ガスの噴出速度を漸次上昇させる運転初期の安定化段階と、その後前記噴出速度を前記安定化段階より大きい上昇度で一旦上昇させた後に、それより小さい上昇度で漸次上昇させる形状段階と、この形状段階を経た後、前記噴出速度を前記形状段階の終了時より小さくする成長段階とを有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/03

FI (1件)：

C01B33/03

Fターム (15件)：

4G072AA01 ,  4G072BB03 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH07 ,  4G072JJ01 ,  4G072LL01 ,  4G072MM01 ,  4G072NN01 ,  4G072NN14 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許3660617号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体級多結晶シリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-325273   出願人：住友チタニウム株式会社
• 半導体級多結晶シリコンの製造方法とその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326976   出願人：高純度シリコン株式会社