特許
J-GLOBAL ID：200903032584655474
圧電薄膜デバイスおよび圧電薄膜デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
板谷 康夫
, 田口 勝美
, 水田 愼一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-040644
公開番号（公開出願番号）：特開2008-206333
出願日： 2007年02月21日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】ダイヤフラム構造の圧電薄膜を備えた圧電薄膜デバイスおよび圧電薄膜デバイスの製造方法において、簡単な構成により、残留応力などにより撓んだ圧電薄膜の表面に平坦化された表面を備えたものとする。【解決手段】圧電薄膜デバイス1は、基板2と、基板2によって支持されたダイヤフラム構造の圧電薄膜4と、圧電薄膜4に電圧を印加して当該圧電薄膜4の面形状を変形させるための薄膜電極3,5と、を備えている。この圧電薄膜デバイス1は、さらに、圧電薄膜4には当該圧電薄膜4と共に変形可能な平坦化用の多層膜7が積層されており、多層膜7を構成する各層の膜は圧電薄膜4からより遠い膜ほどその表面が平坦化されている。圧電薄膜4のダイヤフラム構造を形成する際に、残留応力などによって撓む不可避の表面形状の不確定な変形が発生したとしても、多層膜7が存在するので、複数の圧電薄膜デバイス1の動作特性の均一化が図られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板によって支持されたダイヤフラム構造の圧電薄膜と、前記圧電薄膜に電圧を印加して当該圧電薄膜の面形状を変形させるための薄膜電極と、を備えた圧電薄膜デバイスにおいて、
前記圧電薄膜には当該圧電薄膜と共に変形可能な平坦化用の多層膜が積層されており、前記多層膜を構成する各層の膜は前記圧電薄膜からより遠い膜ほどその表面が平坦化されていることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
IPC (5件)：
H02N 2/00
, H01L 41/09
, H01L 41/22
, H01L 41/18
, G02B 26/08
H02N2/00 B
, H01L41/08 C
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101Z
, G02B26/08 E
2H041AA13
, 2H041AB38
, 2H041AC08
, 2H041AZ08
