特許

J-GLOBAL ID：200903032584657795

コンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュール

発明者： 佐々木 裕司 ,  遠嶋 成文 ,  村山 隆彦 ,  平尾 俊幸 ,  真島 隆司
出願人/特許権者： 株式会社IHI
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-239334
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071129
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】平滑用として有効な容量のコンデンサを素子の増加や配線の発生を招くことなく内蔵させることができる絶縁型半導体パワーモジュールを提供すること。【解決手段】絶縁基板11の表面上に配置したP側及びN側の電極板1d,3d,5d、1e,3e,5e間に、U,V,Wの各相の出力用導電体1f,3f,5fを介してハイサイド用のIGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)1a,3a,5a及びローサイド用のIGBT1b,3b,5bの直列回路を接続する。P側及びN側の電極板1d,3d,5d、1e,3e,5eの立設片1d1,1e1、3d1,3e1、5d1,5e1の間の空間1g,3g,5gを、絶縁基板11の表面に形成した膨出部11a,11b,11cで埋めて、ハイサイド用及びローサイド用のIGBT1a,3a,5a、1b,3b,5bの直列回路と並列のコンデンサ1c,3c,5cを絶縁基板11上に構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

P側及びN側の電極板と、これらP側及びN側の電極板間に接続されるハイサイド用の第1の絶縁型半導体スイッチング素子及びローサイド用の第2の絶縁型半導体スイッチング素子の直列回路とを、絶縁基板上に配置した絶縁型半導体パワーモジュールにおいて、 前記P側及びN側の電極板間に空間を設け、該空間に誘電体を介設することで、前記直列回路と並列に接続されたコンデンサを前記絶縁基板上に構成した、 ことを特徴とするコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/48

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H02M7/48 Z

Fターム (6件)：

5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DB01 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-008680   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-429910   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所