容量素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016083
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092391
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】強誘電体膜を有する容量素子に関し、スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止すること。【解決手段】第1金属を含む第1導電膜18,20と、第1導電膜18,20上に形成されて第1金属と異なる第2金属の金属酸化物よりなる第2導電膜22と、第2導電膜22の上に形成されて第1金属と異なる第3金属よりなる第3導電膜24とを順に形成してなる下部電極30を含む。

請求項（抜粋）：

第1金属を含む第1導電膜と、該第1導電膜上に形成されて前記第1金属と異なる第2金属の金属酸化物よりなる第2導電膜と、該第2導電膜の上に形成されて前記第1金属と異なる第3金属よりなる第3導電膜とを順に形成した構造の下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜の上に形成された上部電極とを有することを特徴とする容量素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 27/10 444 B , H01L 21/88 R

Fターム (58件)：

5F033HH07 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033LL06 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ82 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX28 , 5F083AD10 , 5F083AD22 , 5F083AD43 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR22 , 5F083PR34 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-073501 出願人：富士通株式会社
キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-270446 出願人：三星電子株式会社
半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-097071 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

前のページに戻る