特許

J-GLOBAL ID：200903032618833423

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 大塚 康二 ,  杢 哲次
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248738
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060234
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】 低抵抗のシリコンから成る基板11の上にAlNから成る第1の層12aとGaNから成る第2の層12bとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層12を設ける。バッファ層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体層13、窒化ガリウムインジウムからなる活性層14、窒化ガリウムから成るp形半導体層15を順次に形成する。p形半導体層15の上にアノード電極17を設け、基板11にカソード電極18を設ける。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体を有する半導体発光素子であって、不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板と、前記基板の一方の主面上に配置され、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(但し、xは0<x≦1を満足する数値である。)から成り且つ量子力学的なトンネル効果が生じる厚みを有している第1の層とGaN又はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(但し、yはy<x及び0<y<1を満足する数値である。)から成り且つ前記第1の層よりも厚く且つ10nm〜500nmの厚みを有している第2の層との複合層から成るバッファ層と、発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置された複数の窒化物系化合物層を含んでいる半導体領域と、前記半導体領域の表面上の一部に配置された第1の電極と、前記基板の他方の主面に配置された第2の電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (32件)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB33 ,  5F041DA07 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025852   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• GaN層および緩衝層の成長法およびその構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-092337   出願人：財団法人工業技術研究院