特許
J-GLOBAL ID：200903084954348258
3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199759
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】異種物質基板上に成長させるAlGaInN 系の半導体の結晶性の改善。【解決手段】異種物質の基板上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を成長させる方法において、基板上に単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度でAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に3層以上積層させ、その上に単結晶が成長する温度で目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3≦1, X1又はX2=X3, Y1又はY2=Y3 を含む)から成る層を形成する。
請求項（抜粋）：
異種物質の基板上に3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を成長させる方法において、前記基板上に単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度でAlx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に3層以上積層させ、その上に単結晶が成長する温度で目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3≦1, X1又はX2=X3, Y1又はY2=Y3 を含む) から成る層を形成したことを特徴とする3族窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
