特許
J-GLOBAL ID：200903054685908555
GaN層および緩衝層の成長法およびその構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092337
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298039
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 高品質かつ低欠陥のGaN層を成長させる。【解決手段】 第1の方法では、複数の緩衝層と複数のGaN層とを交互に成長させ、第2の方法では、基板の上に電子移動度の大きい緩衝層を2層連続して成長させてからGaN単結晶の層を成長させる。本発明では、n型及びp型GaN材料を得ることができる。
請求項（抜粋）：
(1)サファイアの基板を洗浄し、(2)前記サファイアの基板上にAlGaN材料からなる第1の緩衝層を成長させ、(3)前記第1の緩衝層上に第1のGaN層を成長させ、(4)前記第1のGaN層上にAlGaN材料からなる第2の緩衝層を成長させ、(5)前記第2の緩衝層上に第2のGaN層を成長させる、という段階からなることを特徴とするサファイアの基板上にGaNの成長法。
引用特許：
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