最適化された書込み電流をオンチップで自動的に判定する方法及び装置を備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-342430
公開番号（公開出願番号）：特開2003-208786
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】メモリセルアレイのメモリセルにデータを確実に書き込む一方で、メモリセルアレイの他のメモリセルにあるデータを保護することが可能な手段を提供する。【解決手段】抵抗性交点メモリ(RXPtM)デバイスに具現化することが可能な磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルアレイデバイスは、MRAMセルのアレイが形成されるチップ(すなわち、基板)を含む。好ましくは、これと同じチップ上にセットアップアルゴリズムを実行するコントローラが形成され、最も好ましくは、このセットアッププログラムは、アレイのメモリセルに2進データビットを書き込む際に使用される書き込み電流(書き込み電流は複数の場合もある)であって、同時に、アレイの他のメモリセルに以前書き込まれたデータを保持する書き込み電流を決定する。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルアレイデバイスを動作させる方法において、前記MRAMデバイスは、一対の導電性パターンによって各々が横切られる複数のメモリセルと、可変較正書込み電流回路と可変較正センス増幅器であって、それらの各々を、前記複数のメモリセルのうちの選択されたメモリセルに、前記選択されたメモリセルにおいて交差する前記一対の導電性パターンによって接続することが可能であり、前記可変較正書込み電流回路は、前記選択されたメモリセルにバイナリデータ値を書き込んで格納し、前記可変較正センス増幅器は、前記選択されたメモリセルの可変抵抗値を検出し、前記可変抵抗値は、前記選択されたメモリセルの自由磁性層の磁化の向きにしたがって前記選択されたメモリセルに書き込まれて、格納されたバイナリデータ値を指示することからなる、可変較正書込み電流回路および可変較正センス増幅器とを含み、前記方法は、前記センス増幅器を較正するステップと、各繰返しループにおいて徐々に段階的に増加する書き込み電流を用いて、選択されたメモリセルに較正データ値を繰返し書き込むことにより、前記書込み電流回路を較正するステップと、第1の繰返し処理中に移行書込み電流を判定するために、各繰返しループにおいて前記選択されたメモリセルに格納されたデータ値を検知するステップであって、前記移行書込み電流において、「磁気的な方向が変化しない」応答から書込みイベントに変化し、書込みイベントに応答して、「磁気的な方向の変化によってデータが書き込まれる」応答が生じることからなる、ステップと、「磁気的な方向の変化によってデータが書き込まれる」応答から「片側選択誤り」応答を生ずる第2の移行書込み電流に達するまで、第2の繰返しにおいて前記書込み電流を段階的に増加させ続けるステップであって、前記片側選択誤りが、前記選択されたメモリセル以外の、前記選択されたメモリセルの前記一対の導電性パターンのうちの一方が横切るメモリセルに予め書き込まれている較正データの望ましくない変更によって生じることからなる、ステップと、前記第1および前記第2の判定された移行書込み電流に基づいて、最適化された書込み電流を決定するステップとを含む、方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発磁気薄膜メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-310011 出願人：キヤノン株式会社
薄膜磁性体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-393213 出願人：三菱電機株式会社
演算増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-329103 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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