導電性高分子材料、それを用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松秀岳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-046380
公開番号（公開出願番号）：特開2006-232898
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】発光特性及び耐久性に優れた有機薄膜EL素子用の高分子材料として、また有機トランジスタの活性層用高分子材料として有用な新規な導電性高分子材料の提供。【解決手段】下記一般式(1)で表される導電性高分子材料を有機薄膜EL素子用の高分子材料及び有機トランジスタの活性層用高分子材料として用いる。下記一般式(1)中、Rは炭素数4個以上のアルキル基を表し、nはチエノチオフェン環の繰り返し数を表す。Rは直鎖状アルキル基又はn-ヘキシル基であることが好ましくこのましく、nは8以上であることが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される導電性高分子材料。

IPC (5件)：

C08G 61/12 , C07D 519/00 , H01B 1/12 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (5件)：

C08G61/12 , C07D519/00 , H01B1/12 F , H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (47件)：

4C072MM08 , 4C072UU03 , 4J032BA05 , 4J032BB01 , 4J032BC03 , 4J032CG01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (8件)

新規スチリル系高分子化合物、その製造方法および用途
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-119192 出願人：ミノルタ株式会社
特許第3145294号公報
キャリア輸送性重合体
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-330622 出願人：凸版印刷株式会社, 佐藤寿弥

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審査官引用 (4件)

モノ-、オリゴ-およびポリチエノ[3,2-b]チオフェン類
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-517008 出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
縮合チオフェン、縮合チオフェンの製造方法、およびその使用方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-532427 出願人：コーニングインコーポレイテッド
電子デバイス用化合物
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-510790 出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド

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