特許
J-GLOBAL ID：200903032647055480
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358404
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 ストライプ構造を有するレーザ素子で、モードの制御性、光学特性に優れたレーザ素子得ること、及び高い精度でのストライプ構造形成が可能な製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明のレーザ素子は、活性層を挟む込む構造の、p型クラッド層、n型クラッド層、を有する構造で、共振器として、第1の凸部と、その一方の端部に延在した第2の凸部とを有し、第1の凸部端部と、第1の凸部に離間した外部側面に、共振器面を形成する。積層した半導体層を、エッチングにより第1の凸部とその端部に幅広の第2の凸部とを形成した後、第1の凸部のストライプ方向にほぼ垂直な面で基板を分割して、共振器反射面を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体からなる層が複数積層されて、活性層をp型クラッド層とn型クラッド層とで挟み込む構造を有すると共に、ストライプ形状の導波路領域を有する半導体レーザ素子であって、前記ストライプ形状の導波路領域が、ストライプ形状の第1の凸部と、該第1の凸部における一方の端部に延在した第2の凸部と、を有すると共に、共振器反射面が、前記第1の凸部端部と、第2の凸部側面のうち第1の凸部に離間した外部側面と、に設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073AA89
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073DA30
, 5F073DA32
