特許
J-GLOBAL ID：200903032656212106
結晶シリコン製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319094
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：
【要約】【課題】 融解前の原料シリコンおよび融解後のシリコン融液に不純物が混入することが抑制され、不純物濃度が低く、結晶性が高い高品質の多結晶シリコンが安価で容易に製造できる結晶シリコン製造装置を提供する事である。【解決手段】 チャンバー2内のルツボ4に収容した原料シリコン3aを融解したシリコン融液3に該ルツボ4の内側底面4aから上方に正の温度勾配を付与して、前記ルツボ4の内側底面4aから上方に前記シリコン融液3を結晶化する結晶シリコン製造装置1において、前記ルツボ4の上方に配置したサセプター9と、該サセプター9を支持する支持部材10と、該支持部材10を介して前記サセプター9を昇降させる昇降装置11とを備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チャンバー内のルツボに収容した原料シリコンを融解したシリコン融液に該ルツボの内側底面から上方に正の温度勾配を付与して、前記ルツボの内側底面から上方に前記シリコン融液を結晶化する結晶シリコン製造装置において、前記ルツボの上方に配置したサセプターと、該サセプターを支持する支持部材と、該支持部材を介して前記サセプターを昇降させる昇降装置とを備えたことを特徴とする結晶シリコン製造装置。
IPC (2件)：
C30B 29/06 501
, H01L 21/208
C30B 29/06 501 Z
, H01L 21/208 Z
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CD04
, 4G077EG22
, 4G077EG23
, 4G077EG24
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077MB08
, 5F053AA09
, 5F053AA25
, 5F053AA33
, 5F053BB04
, 5F053BB60
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG02
, 5F053LL04
, 5F053LL05
, 5F053RR03
, 5F053RR20
