特許
J-GLOBAL ID：200903032667903089

ケイ素含有ポリマ、その製造方法、それを用いたレジスト組成物、パターン形成方法および電子デバイスの製造方法

発明者：
小澤 美和

小澤 美和 について

, 
渡部 慶二

渡部 慶二 について

, 
矢野 映

矢野 映 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-005185
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 製造が簡便で、保存安定性に優れ、かつ、一般的なアルカリ現像液により容易に現像できるレジスト材料として好適で、高感度、高解像性、高O2 -RIE耐性、高耐熱性を同時に満足するケイ素含有ポリマを提供する。【解決手段】 四官能シロキサン骨格を基本骨格とし、カルボン酸基含有トリオルガノシロキシ部分とカルボン酸誘導体基含有トリオルガノシロキシ部分とを特定比率で含むケイ素含有ポリマ。ネガ型非化学増幅レジストポリマまたはポジ型化学増幅レジストポリマとして有利に用いることができる。
請求項（抜粋）：
下記式1で表される構造を主構造単位として含むケイ素含有ポリマ。【化1】〔上式中、R1 は一価の有機基を表し、R2 は直接結合または二価の有機基を表し、R3 は一価の有機基またはオルガノシリル基を表し、これらの基はいずれもそれぞれ複数種が存在してもよく、Xは水素、一価の有機基またはオルガノシリル基を表し、これらの基も複数種が存在してもよく、ここでkおよびlは正の整数であり、mおよびnは0または正の整数であり、それぞれ以下の関係【数1】を満足するものとする〕
IPC (9件)：
G03F 7/075 511 ,  C08G 77/14 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027
FI (9件)：
G03F 7/075 511 ,  C08G 77/14 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (50件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB08 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BD36 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA00 ,  2H096AA24 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA08 ,  2H096GA38 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA19 ,  4J002CP021 ,  4J002EB106 ,  4J002EJ056 ,  4J002EU196 ,  4J002EV246 ,  4J002EW176 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J035AA01 ,  4J035AA05 ,  4J035AB02 ,  4J035AB06 ,  4J035LA03 ,  4J035LB16
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (11件)
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