特許

J-GLOBAL ID：200903032669977756

化合物半導体膜の製造方法

発明者： 森安 嘉貴 ,  石田 誠
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社 ,  石田 誠
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038821
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238683
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 結晶性が高く表面平坦性が良好な化合物半導体膜を、安価な製造コストで形成することが可能な化合物半導体膜の製造方法。【解決手段】 Si基板上にバッファ層を形成し、化合物半導体を成長するへテロ成長技術を用いた製造方法において、Si基板1上にγ-Al2 O3 等のバッファ層2を形成し、バッファ層2上に金属の予備成長を行って予備成長層3を形成し、この金属の予備成長層3上に所望とする化合物半導体膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

Si基板上に化合物半導体膜を形成する方法であって、前記Si基板上に酸化物からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に金属からなる予備成長層を、前記化合物半導体膜の予備成長として形成する工程と、前記金属からなる予備成長層上に所望とする化合物半導体膜を形成する工程とを具えたことを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-292320   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-183043   出願人：昭和電工株式会社