3族窒化物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027923
出願日： 1996年07月09日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】発光素子において広い波長範囲での発光効率の高い発光を可能とすること。【解決手段】発光層5はFeとSiとが添加されたGaN で形成されている。そして、発光層5は両側からn-Al0.08Ga0.92N のクラッド層4と、Mgドープのp-Al0.08Ga0.92N から成るクラッド層71で挟まれている。発光層に遷移金属を添加した結果、発光層に結晶性の高いGaN を用いて、GaN の禁制帯幅に相当した波長よりも十分に長い波長の発光を得ることができる。長い波長が得られる結果、発光層5に結晶性の高いInの結晶比の低い3族窒化物半導体を用いることができる結果、発光効率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：