特許
J-GLOBAL ID：200903032692375879
p型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006087
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170604
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】イオン注入法によりp型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法を提供する。【解決手段】マスク15を用いて窒化ガリウム系半導体膜13にp型ドーパント17のイオン注入を行って、窒化ガリウム系半導体膜13bを形成する。マスク15を除去した後に、窒化ガリウム系半導体膜13eの表面上にキャップ膜等を形成することなく、アンモニア及びヒドラジン系化合物の少なくともいずれか一つを含む雰囲気21中で窒化ガリウム系半導体膜13を温度TAにおいて熱処理してp型窒化ガリウム系半導体領域13hを形成する。窒化ガリウム系半導体膜13eの表面は雰囲気21に露出されている。熱処理により、窒化ガリウム系半導体膜13gが形成される。窒化ガリウム系半導体膜13gは、注入イオンが活性された領域13hと、アンドープのままである領域13dとを含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
p型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法であって、
窒化ガリウム系半導体にp型ドーパントのイオン注入を行う工程と、
前記イオン注入の後に、窒素を含むガスの第1の雰囲気中で前記窒化ガリウム系半導体を熱処理してp型窒化ガリウム系半導体領域を形成する工程と
を備え、
前記第1の雰囲気は、アンモニア及びヒドラジン系化合物の少なくともいずれか一つを含む、ことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/265 601A
, H01L33/00 C
5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA71
