特許
J-GLOBAL ID：200903008910076414
p型III族窒化物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-150327
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356257
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】イオン注入したp型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いp型III族窒化物半導体を実現する。【解決手段】本発明のp型III族窒化物半導体の製造方法は、III族窒化物半導体に、p型不純物としてベリリウム、マグネシウム、カルシウムの中から選択される少なくとも1つをイオン注入する工程と、前記III族窒化物半導体に前記イオン注入したp型不純物を活性化熱処理する工程と、前記III族窒化物半導体のうち前記イオン注入した領域に水素を導入する工程を有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体に、p型不純物としてベリリウム、マグネシウム、カルシウムの中から選択される少なくとも1つをイオン注入する工程と、
前記III族窒化物半導体に前記イオン注入したp型不純物を活性化熱処理する工程と、
前記III族窒化物半導体のうち前記イオン注入した領域に水素を導入する工程を有するp型III族窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/265 601A
, H01L33/00 C
, H01L21/265 F
5F041AA44
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA47
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA71
, 5F041CA73
