特許

J-GLOBAL ID：200903032716371446

半導体酸化装置、それを用いた面発光レーザ素子の製造方法、その製造方法によって製造された面発光レーザ素子を備えた面発光レーザアレイ、その製造方法によって製造された面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光伝送システムおよび画像形成装置。

発明者： 伊藤 彰浩 ,  庄子 浩義 ,  佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-055225
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218774
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】ウェハ内における非酸化領域の寸法を均一化可能な半導体酸化装置を提供する。【解決手段】ヒータ105は、加熱テーブル103内に設けられ、制御部127からの制御に従って、試料トレイ107上に載せられた半導体試料140の外周部を365°Cに加熱し、半導体試料140の内周部を370°Cに加熱する。マスフローコントローラー113は、窒素ガスを気化器114へ供給し、液体マスフローコントローラー111は、水溜容器109に保持された水を気化器114へ供給する。気化器114は、液体マスフローコントローラー111からの水を気化して水蒸気を生成し、その生成した水蒸気をマスフローコントローラー113からの窒素ガスをキャリアガスとして配管115,116、バルブ120および導入管108を介して反応容器101へ供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応容器と、 前記反応容器内に設置され、試料を支持する支持台と、 各々が前記支持台を介して前記試料を加熱する複数の加熱装置と、 前記反応容器内に酸化材料を供給する供給部と、 前記試料の面内方向における酸化速度の分布を基準値以下に抑制する好適な温度に前記試料を加熱するように前記複数の加熱装置を制御する制御部とを備える半導体酸化装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01S 5/183 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L21/31 E ,  H01S5/183 ,  H01L21/205

Fターム (26件)：

5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AC00 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AF04 ,  5F045BB01 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK26 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD05 ,  5F173AF96 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP64 ,  5F173AP67 ,  5F173AQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,493,577号公報
  

審査官引用 (5件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061808   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 基板加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-233643   出願人：住友大阪セメント株式会社
• 枚葉式の熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-067261   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 面発光型半導体レーザおよびその製造方法ならびにその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-256525   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 熱処理装置の制御条件決定方法、熱処理装置、および熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-224146   出願人：東京エレクトロン株式会社