特許
J-GLOBAL ID：200903024153014550
面発光型半導体レーザおよびその製造方法ならびにその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256525
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095934
出願日： 2002年09月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】Alを含むIII-V族半導体層の酸化反応を精度良く制御することが可能な面発光型半導体レーザの製造方法を提供する【解決手段】第1の反射ミラー層、活性領域、Alを含むIII-V族半導体層、および第2の反射ミラー層を含む複数の半導体層と、2種類のモニター用半導体層とを基板上に形成し、基板上Alを含むIII-V族半導体層の側面が露出されるようにレーザ素子部用のメサ構造を形成し、Alを含むIII-V族半導体層の酸化を開始させ、モニター用半導体層の酸化状態を示す反射率または反射率の変化を監視し、その監視結果からレーザ素子部のAlを含むIII-V族半導体層の酸化を終了させるべき酸化終了時刻を求め、酸化終了時刻のときに酸化を停止させる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
メサ構造のレーザ素子部を備えた面発光型半導体レーザの製造方法であって、
第1導電型の第1の反射ミラー層、前記第1の反射ミラー層上の活性領域、Alを含むIII-V族半導体層、および前記活性領域上に第2導電型の第2の反射ミラー層を含む複数の半導体層と、異なる形状の酸化可能領域を含む少なくとも2種類のモニター用半導体層とを基板上に形成し、
前記基板上の半導体層をエッチングし、前記Alを含むIII-V族半導体層の側面が露出されるように前記基板上にレーザ素子部用のメサ構造を形成し、
前記Alを含むIII-V族半導体層を前記メサ構造の側面より酸化を開始させ、
前記少なくとも2種類のモニター用半導体層に含まれる前記異なるサイズの酸化可能領域の反射率または反射率の変化を監視し、その監視結果から前記レーザ素子部のAlを含むIII-V族半導体層の酸化を終了させるべき酸化終了時刻を求め、
前記酸化終了時刻のときに前記Alを含むIII-V族半導体層の酸化を停止させ、前記Alを含むIII-V族半導体層に未酸化領域である開口を形成する、面発光型半導体レーザの製造方法。
IPC (4件)：
H01S5/183
, H01L21/66
, H01S5/22
, H01S5/323
H01S5/183
, H01L21/66 Y
, H01S5/22
, H01S5/323
4M106AA01
, 4M106AA07
, 4M106AB10
, 4M106BA10
, 4M106CB30
, 5F073AA07
, 5F073AA11
, 5F073AA65
, 5F073BA02
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073DA25
, 5F073DA27
, 5F073HA08
