特許
J-GLOBAL ID：200903032740615860

半導体光素子及びその製造方法

発明者：
黒部 立郎

黒部 立郎 について

, 
荒川 智志

荒川 智志 について

, 
田村 修一

田村 修一 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260023
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069149
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 実効反射率の低減効果を十全に発揮すると共に、信号光のフィールドの乱れを生じさせない窓部を具備する半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 レーザ光を発振するレーザ部Aの出射側に接続して設けられた窓部Bにおいて、レーザ部Aにおける活性層16等からなる導波路の延長線上に光導波路構造を持たない低屈折率の半導体層22aが形成され、この半導体層22a上面がレーザ部Aの最上層の第2上部クラッド層20上面よりも高くなっている。具体的には、半導体層22a上面が、レーザ部Aとの境界における第2上部クラッド層20と等しい高さから窓部Bの出射端面側に向かって傾斜して高くなっている。
請求項（抜粋）：
ストライプ形状の導波路を有する光導波路部と、前記光導波路部の一端又は両端に接続する半導体層からなる窓部とが同一の半導体基板上に形成されている半導体光素子であって、前記窓部の半導体層の上面が、前記光導波路部の最上面よりも高くなっていることを特徴とする半導体光素子。
IPC (6件)：
H01S 5/16 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/026 616 ,  H01S 5/026 618 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/223
FI (6件)：
H01S 5/16 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/026 616 ,  H01S 5/026 618 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/223
Fターム (20件)：
5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DB05 ,  5F073AA07 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073AB12 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA03 ,  5F073EA15 ,  5F073EA26
引用特許：
審査官引用 (2件)

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