特許
J-GLOBAL ID：200903032758466480
スピンバルブ構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-075102
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313430
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 バイアス印加位置を厳密に制御し、バルクハウゼンノイズの発生の抑制と高出力特性の確保とを両立させることが可能なスピンバルブ構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シード層42とフリー層43との間に、ルテニウム(Ru)によりなる挿入層48を配設する。シード層42と挿入層48との界面において電子が鏡面反射するため、バイアス印加位置がシフトすることが抑制され、バイアス印加位置が厳密に制御される。また、フリー層と挿入層との界面において電子が鏡面反射することにより、フリー層が極めて薄い場合においても高GMR比が確保される。これにより、バルクハウゼンノイズの発生を抑制しつつ高出力特性を確保することが可能となる。
請求項（抜粋）：
誘電性を有する下地層上にシード層を形成する第1の工程と、このシード層上に、ルテニウム(Ru)を用いて挿入層を形成する第2の工程と、この挿入層上にフリー層を形成する第3の工程と、このフリー層上に、非磁性を有する銅(Cu)を用いてスペーサ層を形成する第4の工程と、このスペーサ層上に、磁化方向が固定された被固定層を形成する第5の工程と、この被固定層上に保護層を形成する第6の工程と、全体にアニーリング処理を施す第7の工程とを含むことを特徴とするスピンバルブ構造の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01L 43/12
