特許
J-GLOBAL ID：200903017709226857
磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112220
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303477
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システムにおいて、出力値、出力波形及びビットエラーレートの良好な特性を得るとともに、熱的な信頼性も向上させる。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、基体100上に、下地層101、第1フリー磁性層102、非磁性層104、固定磁性層106及び反強磁性層107が順次形成されたものである。そして、下地層101は、材質の異なる二以上の金属層が積層されてなる。この金属層は、Ta,Hf,Zr,W,Cr,Ti,Mo,Pt,Ni,Ir,Cu,Ag,Co,Zn,Ru,Rh,Re,Au,Os,Pd,Nb及びVの群から選ばれた一の金属又は二以上の合金からなる。
請求項（抜粋）：
基体上に下地層を介して、磁性層、非磁性層、磁性層及び反強磁性層、又は反強磁性層、磁性層、非磁性層及び磁性層が順次形成された磁気抵抗効果素子において、前記下地層は、材質の異なる二以上の金属層が積層されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/08
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/08
