特許
J-GLOBAL ID：200903032852905420

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小松 裕司

小松 裕司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-232910
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046088
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 完全空乏型SOIトランジスタにおいて、チャネル形成部のフィールドエッジ側の不純物濃度の低下及びそれに伴う閾値の低下を確実に防止する。【解決手段】 MISトランジスタからなる半導体装置1Aにおいて、ゲート電極6の直下のチャネル形成部4のフィールドエッジ側端部4aに、不純物濃度がチャネル形成部4の中央部の不純物濃度よりも高い高濃度不純物領域20を形成する。
請求項（抜粋）：
MISトランジスタからなる半導体装置であって、ゲート電極直下のチャネル形成部のフィールドエッジ側端部に、不純物濃度がチャネル形成部の中央部の不純物濃度よりも高い高濃度不純物領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 617 J
Fターム (27件)：
5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG37 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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