特許
J-GLOBAL ID：200903032887685627
半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022509
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217216
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】ブラインドビアホール部での導通信頼性が高く、微細で高密度の配線パターンの形成が可能な半導体装置用両面配線テープキャリアを、従来より少ない工程数で安価に製造可能とする。【解決手段】片面に接着剤層11を有する絶縁性フィルム12に、金型プレス等によりビアホール13を形成し、接着剤層側に銅箔14を貼り合わせ、ビアホール内に銅めっき15を充てんさせ、接着剤層と反対側の絶縁性フィルムの表面上に前記充てん銅めっき部と電気的に導通する導通化処理層16を形成し、当該導通化処理層上に銅めっき層17を形成することにより、絶縁性フィルムの両面に銅層14、銅めっき層17を有し、且つ当該両面の銅層が前記ビアホールを介して電気的に導通された状態のテープキャリア材料18を作製し、その両面の銅層をフォトエッチング法により配線パターン19に形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
片面に接着剤層を有する絶縁性フィルムに両面導通用のビアホールが形成され、
前記絶縁性フィルムの接着剤層側に銅箔が貼り合わせられ、
前記ビアホール内に銅めっきを充てんした充てん銅めっき部が形成され、
接着剤層と反対側の絶縁性フィルムの表面上に前記充てん銅めっき部と電気的に導通する導通化処理層が形成され、
前記導通化処理層上に銅めっき層が形成され、
これにより、絶縁性フィルムの両面に銅層を有し、且つ前記ビアホールを介して両面の銅層が電気的に導通された状態が形成されると共に、
前記両面の銅層をエッチングすることにより配線パターンが形成され、
前記配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっき等の表面処理被膜が形成されていること、
を特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリア。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F044MM04
, 5F044MM16
, 5F044MM23
, 5F044MM48
