特許
J-GLOBAL ID：200903032995869173
強誘電体薄膜メモリ及び強誘電体薄膜メモリの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087130
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282826
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体メモリを作製する過程で、強誘電体薄膜キャパシタがプロセスに起因して発生する水素によってダメージを受けることが課題であった。【解決手段】 強誘電体薄膜キャパシタを形成後、この上にMgO薄膜を被覆する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この基板上に設けられ、下部電極、酸化物強誘電体薄膜、上部電極を順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタと、このキャパシタ表面に被覆された絶縁膜および配線層とを具備した強誘電体メモリにおいて、前記絶縁膜にマグネシウムが主成分として含まれることを特徴とする強誘電体薄膜メモリ。
Fターム (14件)：
5F083FR02
, 5F083GA27
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR40
