コンタクトホール形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋元輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189731
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】通常の紫外線I-lineを使用して形成したコンタクトホールよりも更に小さい直径を備えるコンタクトホールの形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に非導電膜およびパターニングされたフォトレジスト膜を形成し、非導電膜およびフォトレジスト膜上に均一に重合物膜を堆積してから、重合物膜をエッチングすることによりフォトレジスト膜上に重合物スペーサーを形成し、かつ、この重合物スペーサーをマスクとして非導電膜を半導体基板までエッチング除去してホール(例えば、コンタクトホール、ラインピッチ、トレンチ)を形成するとともに、同一の反応条件において堆積およびドライエッチング工程を実施することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上を非導電膜で覆うステップと、前記した非導電膜上にフォトレジスト膜のパターンを堆積形成して、形成しようとするホール部分の所定面積を露出させるステップと、重合物膜を堆積して前記フォトレジスト膜およびホール部分の所定面積を覆うステップと、前記した重合物膜を異方性エッチングして、前記フォトレジスト膜の側壁上に重合物スペーサーを形成するステップと、前記した非導電膜を前記した半導体基板が露出するまでエッチングして前記ホールを形成するステップとを具備する、同一な反応条件においてフォトレジスト膜の側壁上に重合物スペーサーを形成してホールを完成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 L

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-260709 出願人：広島日本電気株式会社
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-290493 出願人：ソニー株式会社
特開平4-213821

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