特許

J-GLOBAL ID：200903033099255618

窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 赤坂 哲也 ,  小林 康之 ,  牧本 俊樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-249527
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067077
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】 従来の2つのバッファ層を持つAlN系超格子バッファ層を持つ窒化物半導体素子においては、シリコン基板上に、表面が平滑で、しかも、クラックのない窒化物半導体を得ることは困難であった。【解決手段】 AlxGa1-xNから成る第1のバッファ層のAl組成xおよびAlyGa1-yNから成る第2のバッファ層のAl組成yを厳密に規定することにより、形成される窒化物半導体の表面の平坦性およびクラック発生の防止を両立する最適な条件を明らかにした。第1のバッファ層と第2のバッファ層との界面が平滑で、しかも、結晶性の良いAlN系超格子バッファ層を作製することができる。窒化物半導体を使用した信頼性の高い電子デバイス・光デバイス等を作成することができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され、AlxGa1-xN(0.5≦x≦1)から成る第1のバッファ層と、AlyGa1-yN(0.01≦y≦0.2)から成る第2のバッファ層とを交互に各々複数層を積層して形成されたAlN系超格子バッファ層と、 前記AlN系超格子バッファ層上に形成された窒化物半導体層と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/201 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L29/203 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/20

Fターム (24件)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F152LL05 ,  5F152LN03 ,  5F152LN13 ,  5F152LN15 ,  5F152LN26 ,  5F152MM01 ,  5F152MM03 ,  5F152MM08 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F173AG14 ,  5F173AG23 ,  5F173AH22 ,  5F173AH48 ,  5F173AP05 ,  5F173AR82 ,  5F173AR83 ,  5F173AR84

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-248735   出願人：サンケン電気株式会社
• III族窒化物素子及びIII族窒化物エピタキシャル基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-270758   出願人：日本碍子株式会社