半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248735
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059948
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】GaN系化合物半導体装置の低コスト化が困難であった。【解決手段】シリコンから成る基板1の上にAlNから成る第1の層8とGaNから成る第2の層9とを交互に複数積層した構造のバッファ層2を設ける。バッファ層2の上にHEMT素子用の窒化ガリウム系半導体領域3を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体を有する半導体装置であって、シリコン又はシリコン化合物から成る基板と、前記基板の一方の主面上に配置されバッファ層と、前記バッファ層の上に配置された少なくとも1つの窒化物系化合物半導体層を含んでいる半導体素子用半導体領域と、前記半導体素子用半導体領域の表面上に配置された第1の主電極、第2の主電極及び制御電極とを備え、前記バッファ層は、化学式 AlxMyGa1-x-yNここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、を満足する数値、で示される材料から成る第1の層と、化学式 AlaMbGa1-a-bNここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、を満足させる数値、で示される材料から成る第2の層との複合層とから成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 21/205 , H01L 29/778 , H01L 29/78 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 29/80 H , H01L 29/80 B , H01L 29/78 301 B

Fターム (46件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA06 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL09 , 5F102GM04 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102HC02 , 5F102HC21 , 5F140AA24 , 5F140AA34 , 5F140AB08 , 5F140BA06 , 5F140BA20

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体素子および半導体ウエハならびにその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-265362 出願人：三洋電機株式会社
高電子移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-343405 出願人：古河電気工業株式会社
半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084934 出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る